技术编号:6739639
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种相变存储器系统及方法,特别是涉及。背景技术相变存储器(PC-RAM)是基于Ovshinsky在20世纪60年代末70年代初提出的相变薄膜可以应用于相变存储介质的构想上建立起来一种新型的阻变式非易失性半导体存储器,它与目前已有的多种半导体存储技术相比,具有低功耗,非挥发、高密度、抗辐照、非易失性、高速读取、循环寿命长、器件尺寸可缩性(纳米级),耐高低温(_55°C至125°C)、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单(能和现有的集成电路工艺相匹配)等...
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