技术编号:6739912
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。磁传感器子层中的变化形态概要磁传感器可以构建有具有预定第一形态的去耦层。磁性自由层可被沉积为接触地邻近去耦层,并且该磁性自由层被配置有具有预定第二形态的至少第一子层。附图简要说明附图说明图1是示例数据存储装置的透视图。图2A和2B不出了能够用于不同实施例的不例磁传感器的不同视图。图3显示了根据不同实施例所构造和操作的示例磁传感器的一部分。图4绘制了不同磁传感器实施例的操作特性。图5描绘了根据不同实施例来调整的磁传感器的操作特性。图6概括地说明了能够用于不同...
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