技术编号：6740368
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及存储器，特别涉及FLASH存储器领域，具体是指ー种支持高擦写次数的FLASH存储器电路。背景技术半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类，前者在掉电后会失去记忆的数据，后者即使在切断电源也可以保持数据。挥发性存储器又可分为DRAM(动态随机存储器)和SRAM (静态随机存储器)。而ROM则是非挥发性存储器，ROM在类型上根据用户是否可以写入数据而分为两类，一类是用户可以写入的R0M，另ー类是制造商在加工过程中写入的，称为MASK R...
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