技术编号:6741372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用电阻变化型存储元件的交叉点型的非易失性半导体存储装置,特别涉及提高了读出信号的判别性的单元阵列结构及其读出方法。背景技术近年来,伴随数字技术的进展,便携型信息设备和信息家电等的电子设备进一步实现高功能化。因此,非易失性存储装置的大容量化、写入电力的降低、写入/读出时间的闻速化以及长寿命化的要求提闻。针对这样的要求,现有的使用浮栅的闪存的微细化有所发展。另一方面,作为代替闪存的元件,正在研究开发具有使用所谓的电阻变化型存储元件构成的存储元件的非...
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