技术编号：6741392
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储装置及其写入方法，其中，该非易失性存储装置具有使用所谓的电阻变化元件来构成的交叉点型存储单元阵列。背景技术近年来，具有使用所谓的电阻变化元件而构成的存储单元的非易失性存储装置的研究开发正在推进。所谓电阻变化元件，是指具有电阻值根据电信号而变化(在高电阻状态与低电阻状态之间转变的)的性质、并能够通过该电阻值的变化来存储信息的元件。并且，关于采用电阻变化元件的存储单元，其中一种作为适合高集成化的构造，存在所谓的交叉点构造。在交叉点构造中，...
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