技术编号:6742417
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多端口动态随机存取存储器(DRAM)芯片。具体而言,与用于视频DRAM(VRAM)的多路串行结构有关。在DRAM工业领域中,存贮芯片的密度每两至三年增加一倍。与这一趋势相一致,DRAM的应用已从传统的随机(即并行)读出方式扩展到了串行读出方式。在并行读出方式中,从每一个存储器阵列中选出一给定的字线,并选出阵列内一给定的位线(或位线对,例如在授予Hitachi的美国专利RE32,708所示出的叠合位线配置的情况)。这样在所有阵列中的相同的存贮单元,...
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