技术编号：6743051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一般地说，本发明涉及磁阻(MR)装置及其制造方法的领域。更具体地说，本发明涉及磁阻装置以及把它们制造成MR传感器的方法，而这种传感器显示出对巴克豪森噪声的抑制特性已有改进。磁阻传感器或磁头已知可用于从磁面读取数据，而所具的灵敏度则超过感应式或薄膜式磁头。工作中，MR传感器用来探测磁面由此MR传感器的磁阻变化而发生的、作为被传感的磁通方向与数量之函数的磁场信号变化。同时周知，为使一MR传感器有效地起作用，就必须使其在一横向偏压场作用下令其响应线性化。在已知用...
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