技术编号：6743412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储装置，特别涉及用于写入动作和读出动作的读出放大器。由于非易失性半导体存储装置具有掉电后仍不丢失数据的优点，近年来需求量大大增加。闪烁存储器，作为可电学清除的非易失性半导体存储装置，与双晶体管型字节式非易失性半导体存储装置不同，可以用晶体管构成存储单元。其结果是可使存储单元缩小，可望取代大容量磁盘等用途。这些非易失性半导体存储装置是将具有浮栅的MOS晶体管所形成的存储单元排成矩阵，构成存储单元阵列，通过让浮栅积蓄电荷使MOS晶体管...
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