技术编号:6744504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储装置,更具体地说,涉及存储数据的存储装置。背景技术 利用强介质的分极现象来存储数据的强介质存储器早已为众所周知。这种强介质存储器因其为高速、低耗电的非易失性存储器而引人注目。因此,人们一直在致力于有关介质存储器的研究开发。在这种强介质存储器中,数据的写入/读出动作与DRAM(DynamicRandomAccessMemory,动态随机存储器)同样方式的存储电容型强介质存储器的典型存储单元有二种单晶体管单电容型(以下称为1T1C型)以及双晶体管...
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