技术编号:6747135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失半导体存储器件,特别涉及一种具有用于擦除数据的擦除栅极的非易失半导体存储器件,以及该非易失半导体存储器件的擦除数据的方法。本发明的非易失半导体存储器件是一种具有由存储单元组成并按网格分布的的存储单元阵列,其中每一个存储单元包括一控制栅极、一浮置栅极以及一擦除栅极,该存储单元按网格状分布作为一个基本结构,并且存储于存储单元阵列中的数据可以在以一定数目的存储单元构成的存储块中集中删除。图1是显示传统的非易失半导体存储器件的结构的方框图,图2...
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