技术编号:6747355
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及诸如动态随机存取存储器(DRAM)之类的半导体存储,特别是,本发明涉及具有用于列选择线和数据线的分层结构的多存储单元阵列半导体存储器。现代的高密度DRAM典型地使用在该芯片上的几个存储器子阵列,这里每一个子阵列都与用来放大在各个单元中所存储的信号的一读出放大器组有关。目前,大多数但不是全部的市场上买得到的DRAM不能够在交叠的时间间隔内向在该芯片中的一公共单元的不同子阵列执行写操作和从在该芯片中的一公共单元的不同阵列执行读操作。为了提高向该芯...
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