技术编号:6747742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储的技术。背景技术半导体存储器变得更加普遍地用于各种各样的电子设备。例如,非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字照相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备、和其他设备中。电可擦除可编程只读存储器(EEPR0M)和闪存存储器属于最普遍的非易失性半导体存储器。 EEPR0M和闪存存储器两者都利用位于半导体衬底中的沟道区域上方且与该沟道区域绝缘的浮置栅极。浮置栅极位于源极和漏极区域之间。控制栅极被提供在浮置栅极之上且与该浮置栅极绝缘。...
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