技术编号：6748729
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及铁电非易失存储器，更具体涉及具有与MOS(金属氧化物半导体)或MIS(金属绝缘体半导体)结构的场效应晶体管的栅极相连接的铁电电容器(铁电栅FET)的铁电非易失存储器及从该存储器读出信息的读出方法。如果在半导体和铁电体之间制作一个结，可以预期会出现在半导体表面上取决于铁电体的极化方向而分别诱生空穴和电子的状态。因此，已经尝试利用铁电体形成MOS场效应晶体管的栅极绝缘薄膜建立对应于“0”和“1”的上述两种状态并形成即使在关断电源时存储器内容也不会擦掉...
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