技术编号:6748860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例涉及电子电路,具体涉及具有包括两个选通晶体管在内的多值存储器单元的数字存储设备。背景技术与典型的动态随机存取存储器(DRAM)不同,多值存储器单元被配置为每个存储 器单元存储四个电压电平之一,该四个电压电平与由两比特数据存储来逻辑表示的四个不 同数据值(例如二进制值“00”,“01”,“10”或“11”)相对应。相反,典型的DRAM被配置为 存储与一比特数据存储(典型地,“1”或“0”)相对应的两个电压电平之一。于1999年12 月 21 日...
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