技术编号:6750696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储装置,特别涉及DRAM(dynamic randomaccess memory)。在上述美国专利中,同时公开了包括第1、第2以及第3存储器单元阵列的半导体存储装置。各存储器单元阵列是包括具有上述结构的多个DRAM单元的2Tr1C型存储器单元阵列。在第1存储器单元阵列和与其邻接的第2存储器单元阵列之间配置A端口读出放大电路、在第2存储器单元阵列和与其邻接的第3存储器单元阵列之间配置B端口读出放大电路。A端口读出放大电路与第1存储器单元...
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