技术编号:6750784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器,特别涉及一种基于虚拟接地方法的非易失性半导体存储器件。背景技术 在最近几年,需要更高的容量更高集成度的存储器。结果,基于多值方法、虚拟接地方法等等可以减小有效单元面积的非易失性半导体存储器已经被开发并且投入使用。基于虚拟接地方法的半导体存储器具有这样一种结构,其中两个存储单元共用一条位线,从而可以获得高集成度。图5为示出根据一种虚拟接地方法的常规非易失性半导体存储器的部分的大体结构的示意图。半导体存储器30包括一个虚拟接地线VR...
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