技术编号:6750892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,特别涉及设置在字线与第一及第二位线交叉部的半导体存储装置。写入时,字线WL成为H(高)电平(选择电平),N沟道MOS晶体管95、96导通。根据写入数据信号使位线BL,/BL中的一个位线(例如BL)成为H电平,同时使另一个位线(此时为/BL)成为L(低)电平,则在MOS晶体管91、94导通的同时MOS晶体管92、93截止,存储节点N91、N92的电平被锁住。若使字线WL成为L电平(非选择电平),则N沟道MOS晶体管95、96截止,数...
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