技术编号:6751204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于非易失性、可重写的内存,且特别是有关于用来更新(refresh)非易失性、可重写内存矩阵的系统与方法。背景技术 典型的快闪(FLASH)内存矩阵中,存储单元安排在由列与行所形成的长方形矩阵中,并在列与行所形成的交叉点配置存储单元晶体管。每一晶体管的漏极连接到对应的位线,源极经由矩阵源极线连接至矩阵源极电压,而栅极则连接至字组线(wordline)。典型的闪存容许以整块(bulk)、存储区(sector)或存储页(page)方式来程序化(pro...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。