技术编号:6751382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁存储器领域。背景技术 磁随机访问存储器(“MRAM”)是考虑作为短期和长期数据存储的非易失性存储器。MRAM比例如DRAM、SRAM和快闪存储器等短期存储器功耗更低。MRAM执行读写操作的速度比例如硬盘等一般的长期存储装置快得多(几个数量级)。此外,MRAM比硬盘更紧凑,功耗更低。MRAM还被考虑作为极快处理器和网络设备等嵌入应用。发明内容非常希望增加MRAM器件的位密度。位密度的增加可以增加存储容量并降低存储成本。附图说明图1示出了根据本发明...
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