技术编号:6751561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种堆叠栅极闪存阵列的设计及制造方法,且特别是关于一种可避免由不稳定位产生漏电流的影响的堆叠栅极闪存阵列的设计及制造的方法。背景技术 现有的半导体存储器的种类,基本上可粗分为非易失性存储器,以及易失性随机存取存储器(RAM)两种。其中非易失性存储器是指在电源中断后仍可保存原有储存的数据,依其功能不同可分为只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、可电擦除可编程只读存储器(EEPROM)、屏蔽式只读存...
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