技术编号:6751974
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及由FBC(浮置体单元)构成的。背景技术 FBC存储器是能形成在SOI衬底上的易失性存储器,作为代替DRAM的半导体存储器件受到期待。FBC存储器具有单元面积小、面向高集成度的长处。该FBC存储器的基本说明公开在例如文献1(T.Ohsawa et al.,“Memory Design Using One-Transistor GainCell on SOI”,ISSCC Digest of Technical Papers,pp152-...
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