技术编号:6752173
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种验证电路,特别是有关于一种相位变化存储器阵列的验证电路。背景技术相位变化存储器(Phase Change Memory,PCM)是一种具有高速、高容量密度以 及低耗能的非挥发存储器,其中相位变化存储器中的相位变化存储单元系由相位变化材料 所形成,例如硫系材料(Chalcogenide)等。在热应用的操作下,相位变化材料可在结晶 (crystalline)状态以及非结晶(amorphous)状态之间切换,其中相位变化材料在结晶状 态以及非结晶...
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