技术编号:6752594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失存储器测试结构,包括以行和列设置的多个存储单元,每个存储单元至少包括存储晶体管并且具有源极端、栅极端和漏极端。此外,本发明涉及用于测试这种测试结构的相应的非易失存储器测试方法并且涉及包括这种测试结构的半导体晶片。非易失EEPROM和闪存EEPROM器件中的主要问题在于,难以测量存储单元的阈值电压分布。具体地说,作为质量检查,用于精确地测量阈值电压分布的可靠方法是非常有用的,并且变得非常重要。可以使用不同技术例如恒定电流应力或者线性斜升电压应...
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