技术编号:6752873
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻随机存取存储器(MRAM),更具体地,涉及MRAM的结构。背景技术 在包括MRAM的任何存储器类型方面,不断希望减小存储器大小和提高性能。性能的一个重要的方面是存储器被读出和被编程(写入)的速度。速度限制包括诸如位单元的性能和穿过阵列的线的电容量等因素。已开发了各种各样的技术来改进这些特性。例如,存储器阵列通常被划分成子阵列,以使得没有单根线具有过大的电容。这可减小功率消耗。MRAM中的这样的技术通过把单元编组为单元组而得到发展,以减小位线的...
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