技术编号：6753316
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造，特别涉及改进的氮化硅非易失存储器 及其实现方法。背景技术氮化硅非易失存储器(NROM)是一种新型的非易失只读存储器。在结构上，它用氮 化硅取代传统闪存中的浮栅。由于氮化硅的绝缘性，可以通过控制电子和空穴注入到氮化 硅的两端，使得氮化硅的两端成为独立的存储单元，即双比特存储单元。并且，结合每单元 多层电位(MLC)技术可以实现每单元4比特的高存储密度。图1是NROM的一个存储单元的结构示意图。位线102和位线103是嵌入晶片硅 ...
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