技术编号：6753362
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失半导体存储装置，特别涉及可变更擦除单位存储块结构的闪速存储器。背景技术 在功能上，闪速存储器是成批擦除型的可电写入擦除的非易失半导体存储装置。由于闪速存储器成本低并具有电擦除功能，在便携式电器等中有很大的需求，近年来其研究开发盛行。闪速存储器，例如设有浮动栅的、可改变阈值电压的晶体管(以下称为存储晶体管)被作为存储单元使用。图26是传统的闪速存储器的阵列结构的示图。图26中，为了使说明简单，就整体为8M位的存储阵列的情况进行说明。存储阵列5...
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