技术编号:6753631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以标准CMOS工艺形成的对电可编程的熔丝器件的读出/编程控制电路,尤其是,使用于由电(electrically)-熔丝器件、反熔丝器件等构成的熔丝电路。背景技术 现有,半导体集成电路内要将数据进行非易失性存储的场合,其半导体集成电路内必须配置某种存储器件。例如,存储数据的数据量非常多,同时,像多次进行数据重写那样的场合,用迭层栅构造的闪存单元存储其数据。在这里,闪存单元,通过与标准CMOS工艺不同的特殊工艺来形成。为此,在以逻辑LSI等标准C...
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