技术编号：6754138
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系有关于低功率随机存取记忆体，且特别是有关于低功率RAM电源开启及在待机与致能状态之间进行切换的速度。背景技术 可携式装置的普及已产生低功率元件且特别是低功率RAM的需求，此因低功率RAM可节省功率且同时可对资料的请求产生快速回应。低功率技术为可携式装置的进展的关键之一。在低功率记忆元件中，电源开启程序会相当慢，其部分是因为等待对内部功率电路进行充电所造成。为了协助对内部功率电路进行充电，虚周期是用来允许对功率电路进行充电的时间。在低功率应用中，致能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。