技术编号:6754352
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的存储器,特别是涉及一种用于MLC闪存(MLC Flash Memory,多层单元闪存)的灵敏放大器(Senseamplifier),以及一种位于灵敏放大 器中的位线(BL)快速充电电路。背景技术半导体存储器(Memory) —般由字线(WL)行和位线(BL)列组成,每一行和列的 交叉点是一个存储单元(cell),存储单元由晶体管和电容组成。存储单元中的数据取决 于存储在电容中的电荷,晶体管的开关控制数据的存取。当字线被选中,晶体管打开时...
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