技术编号:6754871
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型是有关于一种半导体装置,特别是有关于一种存储装置,另外,利用应力的金属氧化半导体场效晶体管(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistors;MOSFETs)装置的半导体存储装置亦一并揭露。背景技术一般金属氧化半导体场效晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor;以下简称MOSFET)装置的制造方式是在一半导体基底上形成一栅极氧化层、一...
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