技术编号：6755465
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静态存储器，特别是涉及存储器正确运行的校验，备用或 离线操作期间测试存储器，尤其涉及。背景技术闪存(Flash Memory)作为一种非挥发性的半导体存储芯片，具有体积 小、功耗低和不易受物理破坏的优点，是移动数码产品的理想存储介质。按内部架构和实现技术可以将闪存分为AND、NAND、N0R和DiNOR等几种，但目前以 NAND为主流，NAND技术是由东芝公司1989年发明，NAND技术在设计之初是为了数据存储 应用，NAND具有写回速度快、芯片...
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