技术编号:6755794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一次可以编程多个数据字或字节的页模式可编程非易失性半导体存储器电路以及操作该电路的方法。背景技术 典型的电可擦除和可编程非易失性存储单元(EEPROM)通过在MOS晶体管内的浮动栅结构上存储大量电荷而保有二进制数据。按照惯例,充电的浮动栅表示逻辑“1”状态(擦除状态)而未充电的浮动栅表示逻辑“0”状态(编程状态)。为了将电子注入MOS晶体管的浮动栅(即擦除),将在其栅极应用高电压Vpp并将其源极接地。充电的浮动栅增加了该晶体管的阈值电压。为了对该...
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