技术编号:6755858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高性能半导体存储器装置,尤其是涉及带有沿不同设计方向连接的一级位线的嵌入式存储器装置。背景技术 通常DRAM(动态随机存取存储器)被认为是一种高密度、低成本,但是性能较低的存储器装置。目前市场上的DRAM与其它类型的半导体存储器装置(例如,静态随机存储器(SRAM))比较起来总是显得性能较低。DRAM的密度正在迅速改善,每一代器件的集成度都比上一代成倍地增加。依靠超细微工艺技术和改善存储器单元结构,虽然可以使DRAM达到较高的集成度,但是,DRA...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。