技术编号:6756193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及非易失性存储器(“NVM”)单元领域。更具体而言,本发明涉及用于选择一个或多个参考单元的参考电压以便读取存储器单元阵列内的一个或多个存储单元的方法和系统。背景技术NVM单元一般采用一个或多个参考结构或单元来操作(例如,编程、读取和擦除)。一个或多个参考结构或单元中的每一个可以与正在工作的存储单元进行比较,以便确定正在工作的存储单元的条件或状态。众所周知,NVM单元的状态可以由其阈值电压来定义和确定,该阈值电压是单元开始导通电流的电压。NVM单...
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