技术编号:6756687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失半导体存储设备以及在非易失半导体存储设备中编程的方法。具体而言,本发明涉及一种具有多个存储单元的非易失半导体存储设备,其中每一存储单元能够存储多级数据,以及涉及一种在非易失半导体存储设备中编程的方法。背景技术 一般来说,诸如快闪存储器那样的非易失半导体存储设备包括多个存储单元,每一存储单元具有层叠栅极结构(浮动栅结构)。也就是说,在存储单元的MOS晶体管中,浮动栅提供在基底和控制栅之间。当电荷注入到浮动栅时,每一存储单元的阈值(阈值电压)根...
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