技术编号:6756719
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及适于在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM),其包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结(double junction)结构。背景技术 磁致电阻(MR)传感器通常用作硬盘驱动器中的读传感器。MR传感器通过由磁材料制成的读元件的电阻变化来感测磁场信号,该电阻变化作为由读元件感测的磁通的强度和方向的函数。传统MR传感器,例如磁记录盘驱动器中用作用于读数据的MR读头的传统MR传感器,基于体磁材料(bulkmagnetic mate...
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