技术编号:6757475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种非易失性储存单元,且特别是有关于一种受到编程干扰(program disturb)的非易失性储存单元。背景技术 编程干扰作用(program disturb effect)使非易失性储存单元的编程操作(program operation)复杂化。编程操作是把电荷添加到一记忆体阵列中的已选定的储存单元中,或者从记忆体阵列中的已选定的储存单元中移走电荷,而抹除操作(erase operation)是把储存单元的整个区段(sector)重新设定...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。