技术编号:6757641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储器,更具体地说,涉及使用跟踪单元读取多态存储器。背景技术 在半导体存储单元中,通过对单元编程以便具有所需的阈电压,保存数据。通过确定单元的阈电压,并把该电压转变成逻辑水平,读取保存在该单元中的数据。对于双态、二进制存储单元来说,通过利用基准电压或断点电压来提供读取点可实现这种转变阈电压高于该读取点的单元对应于一种状态,而阈电压低于该读取点的单元对应于另一种状态。当存储单元是多态单元时,需要引入许多这样的读取点来区别各种状态。随着...
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