技术编号:6757852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件,特别涉及有效地用于设有静态随机存取存储器的半导体集成电路器件的技术。背景技术 作为评估静态随机存取存储器(以下将简称为SRAM)的存储单元的参数之一,一般使用静态噪声余量(以下简称为SNM)。SNM表示被储存在存储单元中的数据的稳定性。随着SNM的值增加,存储单元的数据保持操作变得更稳定;然而,相反,将相反数据写入被储存在存储单元中的保持数据变得更困难。日本未审专利公报No.2002-042476公开了作为解决这种问题的技...
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