技术编号:6757941
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器,且尤其涉及采用有效电压方案(virtual railscheme)、在不同工艺-电压-温度(PVT)变化下稳定的同步随机存取存储器(SRAM)。背景技术 图1是SRAM存储阵列中通常使用的、包含6个晶体管的SRAM单元101电路图。常将SRAM单元101称作6T SRAM单元。在SRAM单元101中,将NMOS晶体管N1和N2分别连接在地电压VSS与节点A以及在地电压VSS与节点B之间,且将节点A和B分别通过PMOS晶体管P1和P2...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。