技术编号:6758134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于记忆体系统,且特别是有关于编制相变记忆单元(memory cell)的方法、系统及装置。背景技术 在电子记忆体应用中使用电子可写及可擦除相变材料(如可在一般非结晶状态与一般结晶状态之间进行电子转换的材料)的一般概念是该中众所周知的。典型的相变材料具有两个状态非结晶状态(generally8morphous state)与结晶状态(generally crystalline state)。相变材料可以包含一种或者多种硫化物,这些硫化物至少部分地...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。