技术编号:6758392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,特别是涉及通过使ROW(行)冗长、COLUMN(列)冗长不能救济的残余缺陷单元的刷新周期短于正常单元的刷新周期来救济缺陷单元,并且对测试时间的缩短、制造成品率的提高有利的。背景技术 图8是表示现有半导体存储装置的构成的图。在图8中,1是存储器单元阵列,构成了分为多段的救济单位的存储器阵列。在图8中,对于存储器单元阵列,ROW分为4段,COLUMN分为2段。由周边电路2生成的ROW地址被输入给开关(多路复用器)3,开关3的输出被输入...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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