技术编号：6758868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路存储器，并具体涉及集成电路存储器，特别是动态随机存取存储器(DRAM)，其中从在位线上存在的小电压信号来检测所存储的内容。背景技术 现有的DRAM一般比静态随机存取存储器(SRAM)或只读存储器(ROM)的存取速度慢。传统上，DRAM已经被制造为独立的集成电路芯片，它们存储大量的数据，用于比磁或光盘媒体更快地存取，并且具有较低的价格和较低的功耗。相反，SRAM和ROM通常提供比DRAM更快的存取，但是经常具有较高的价格和功耗，因为这些存储...
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