技术编号：6759017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储晶体管，尤其涉及于低压工作的非易失性存储单元。背景技术 碰撞电离为人所知已有多年。授予B.Eitan的美国专利No.4,432,075和授予Hayashi等人的美国专利No.4,821,236都叙述了一种与一电荷发生器邻接的EEPROM晶体管，其在EEPROM附近形成一衬底电流，在EEPROM的表面下的电极附近产生过剩电荷或空穴，类似于空间电荷。假定空穴被产生并向着EEPROM的其中一个电极加速，所产生的二次电子的能量足以穿透在衬底上...
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