技术编号:6759261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁存储单元及其制造方法,且特别涉及一种具有较为宽大的磁性下电极可产生较佳均匀性外露磁场的磁存储单元及其制造方法。背景技术 磁性随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory,底下简称“MRAM”)具有非易失、高密集度、高读写速度、抗辐射线等等优点。写入数据时,一般所使用的方法为两条电流线,也就是位线(Bit Line)与写入字符线(Write Word Line),感应磁场所交集选择到的存储单元(MemoryCel...
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