技术编号:6760258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性(non-volatile)的内存结构,且特别涉及一种增加一氮化物只读存储器阵列的抹除均匀性的方法。背景技术 奠基于如电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory,EEPROM)及闪存的电荷储存器结构的电子式可编程及可抹除的非易失性内存的技术是使用于现今多种应用中。闪存是利用可独立地程序化及读取的内存阵列设计而成。闪存中的感测放大器用以判读储存于非易...
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