技术编号:6760392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结,以及其在自旋电子器件中的应用。背景技术 自1975年Julliére在Fe/Ge/Co多层膜中发现隧穿磁电阻(Tunnel Magnetoresis-tance,TMR)效应以来,磁性隧道结中自旋相关电子的隧穿输运性质和隧穿磁电阻(TMR)效应已成为凝聚态物理中的重要研究领域之一。目前,人们在单势垒磁性隧道结(SBMTJ)的研究方面取得了显著成果,如实验上已在单晶MgO势垒隧道结中获得室温高于200%的T...
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