技术编号:6760624
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及NROM单元,尤其涉及其中的阈值电压偏移。背景技术 在现有技术中已知非易失性电荷俘获层器件,如氮化物只读存储器(NROM)。图1示出典型的NROM单元10,现在参考图1。NROM单元在衬底105中在两条位线102和104之间具有沟道100,并且在栅极112下具有氧化物-氮化物-氧化物(ONO)夹层结构。氧化物-氮化物-氧化物夹层结构具有通常厚度为10-17nm的顶部氧化物层111、通常厚度为4-8nm的中间氮化物层110、以及通常厚度为4-8...
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