技术编号:6760776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 本发明一般涉及半导体存储器。相变存储装置使用相变材料,即,可以在一般的非晶体和一般的晶体状态之间电转换的材料,作为电存储器。一种类型的存储元件利用相变材料,在一个应用中其可以在一般的非晶体和一般的晶体局部顺序之间或局部有序的穿过完全地非晶体和完全地晶体状态之间的全部频谱的不同可检测状态之间电转换。适合于这种应用的一般材料包括各种硫族化物元件。相变材料的状态也是非易失性的,不存在超温的应用,诸如那些为了延长时间超过150℃的应用。当在标识阻值的晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。