技术编号:6761008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器,尤其涉及一种用于存储器的片上(on-die)终接(此后被称为‘ODT’)电路及用于存储器的方法。背景技术 同步存储器的操作速度的增长导致了对传输线终接的需求,所述传输线连接到在存储系统中的同步存储器的数据输入/输出引线。双倍数据率同步DRAM(“DDR SDRAM”)的接口是基于使用在诸如图1示出的存储器100的存储器外的终接电阻器R-term的端头(stub)系列终接收发机逻辑(“SSTL”)。除了终接电阻器R-term,还需要一个...
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